NVMe M.2 PCIe 512GB

SKU: DHI-SSD-C900VN512G Categorías: , ,
  • Adopta un chip de nivel de oblea NAND 3D de alta calidad
  • Admite protocolos PCIe3.0 x4 y NVMe 1.3
  • Se incluye una placa de enfriamiento totalmente metálica; equipada con tecnología de control de temperatura inteligente
  • Adopta TRIM para mejorar el rendimiento y la velocidad de lectura/escritura
  • Admite tecnología Max.Write para caché SLC de disco completo
  • Admite LDPC ECC para mejorar la confiabilidad de los datos
  • Gestión de bajo consumo de energía

$49.237 IVA incluido

Disponibilidad: 20 disponibles

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Factor de forma M.2 2280
Puerto PCIe Gen 3.0 x 4
Peso neto Máx. 8 g (0,02 lb)
Dimensiones del producto 2 80,00 mm × 23,00 mm × 4,80 mm (3,15″ × 0,91″ × 0,19″)
Dimensiones del embalaje 130 mm × 104 mm × 17 mm (5,12″ × 4,09″ × 0,67″)
Componente de memoria Memoria flash 3D NAND
Consumo de energía 3 2,8 W (máximo); 0,17 W (inactivo) 3,689 W (máximo); 0,611 W (inactivo) 3,95 W (máximo); 0,05 W (inactivo) 4,15 W (máximo); 0,06 W (inactivo)
ELEGANTE
RECORTAR
Recolección de basura
Lectura secuencial 3 Hasta 3300 MB/s Hasta 3300 MB/s Hasta 3.400

MB/s

Hasta 3.400

MB/s

Escritura secuencial 3 Hasta 1.200

MB/s

Hasta 2.700

MB/s

Hasta 3.000

MB/s

Hasta 3.000

MB/s

Lectura aleatoria 4K 3 Hasta 124400 Hasta 175800 Hasta 151200 Hasta 544300
Escritura aleatoria 4K 3 Hasta 177900 Hasta 113900 Hasta 90600 Hasta 403900
Tiempo medio entre fallos 1.500.000 horas
Temperatura de funcionamiento De 0 °C a +70 °C (+32 °F a +158 °F)
Temperatura de almacenamiento De –40 °C a +85 °C (de –40 °F a +185 °F)
Humedad de funcionamiento 5%–95% (sin condensación)
Resistencia a la vibración 10–200 Hz, 0,5 G
Resistencia a los golpes 1.500 G/0,5 ms (media onda sinusoidal)
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